BLG3040
- 产品特点
- 技术文档
| VCES | VCE(sat).Typ | ESCIS@TJ=25 °C | ESD | Package | 425 V | 1.25 V | 300 mJ | 4 KV | TO263 TO252 |
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3040，高压，IGBT，点火线圈
BLG3040采用先进的点火IGBT技术获得，可降低传导损耗，增强SCIS能力。内部集成二极管可以提供电压钳位，而无需外部元件。IGBT适用于汽车点火电路，特别是作为线圈驱动器。
优势特点
- Low V(CEsat)
- High SCIS Energy
- Logic Level Gate Drive
- AEC-Q101
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