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BLM06N10

产品特点
技术文档

Type	Mode	VDS(Max.)	ID(Max.)	RDS(on)(Max.)	Qg(Typ)	Package
Trench MOSFETs	N-Channel	100V	140A	6mΩ	108nC	TO220 TO263

06N10,lv，低压

The BLM06N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

优势特点

High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized Avalanche voltage and current

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