BLG80T65FDH7
- 产品特点
- 技术文档
| Type | Grade | Mode | VCES(Max.) | PTOT(Max.) | Freewheeling diode | IC (A) (@ Tc = 100 °C) max | IC (A) (@ Tc = 25 °C) max | VCE(sat) (V) typ | Qg (nC) typ | IGBT Trench FS | Industrial | N-Channel | 650V | 468W | FRD | 80A | 160A | 1.5V | 154nC | Eon (mJ) typ | Eoff (mJ) typ | IF (A) (@ Tc = 100 °C) max | IF (A) (@ Tc = 25 °C) max | VF (V) typ | Irrm(A) typ | Qrr (nC) typ | Package | Application | 1.5mJ | 0.95mJ | 80A | 160A | 1.65V | 28A | 1600nC | TO247 | Charge UPS Solar |
|---|
80T65，HV，高压，IGBT
BLG80T65FDH7 采用先进的沟槽型场截止（T-FS）技术，具有低饱和压降 VCE (sat)、优化的开关性能以及低栅极电荷 Qg 等特点。该 IGBT 适用于光伏、UPS 不间断电源、充电器以及中高开关频率应用场合。
优势特点
- 快速开关
- 低饱和压降 VCE (sat)
- 正温度系数
- 快恢复反并联二极管
- 符合 RoHS 环保标准
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