BLG100T65FDH7-ZA

Type	Grade	Mode	VCES(Max.)	PTOT(Max.)	Freewheeling diode	IC (A) (@ Tc = 100 °C) max	IC (A) (@ Tc = 25 °C) max	VCE(sat) (V) typ	Qg (nC) typ
IGBT Trench FS	Industrial	N-Channel	650V	555W	FRD	100A	200A	1.5V	187nC
Eon (mJ) typ	Eoff (mJ) typ	IF (A) (@ Tc = 100 °C) max	IF (A) (@ Tc = 25 °C) max	VF (V) typ	Irrm(A) typ	Qrr (nC) typ	Package	Application
0.85mJ	1.1mJ	100A	200A	1.6V	35A	2.45nC	TO247-4L-2	Charge UPS Solar

100T65，HV，高压，IGBT

BLG100T65FDH7 采用先进的沟槽场截止（T-FS）技术制造，该技术具备低饱和压降 VCE (sat)、优化的开关性能以及低栅极电荷 Qg的特点。这款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）适用于太阳能发电、不间断电源（UPS）、充电桩及中高开关频率应用场景

优势特点

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