BLG08T65FBL-A1&B

Type	Grade	Mode	VCES(Max.)	PTOT(Max.)	Freewheeling diode	IC (A) (@ Tc = 100 °C) max	IC (A) (@ Tc = 25 °C) max	VCE(sat) (V) typ	Qg (nC) typ
IGBT Trench FS	Industrial	N-Channel	650V	107W	FRD	8A	16A	1.45V	32.5nC
Eon (mJ) typ	Eoff (mJ) typ	IF (A) (@ Tc = 100 °C) max	IF (A) (@ Tc = 25 °C) max	VF (V) typ	Irrm(A) typ	Qrr (nC) typ	Package	Application
0.13mJ	0.16mJ	8A	16A	1.65V	3A	296nC	TO220MF TO263-2L	UPS PFC Portable power station

08T65，HV，高压，IGBT

BLG08T65FBL 采用先进的沟槽型场截止（T-FS）技术制造，具备低饱和压降 VCE (sat)、优化的开关性能以及低栅极电荷 Qg等特性。该绝缘栅双极型晶体管（IGBT）适用于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）及其他对低 VCE (sat) 有要求的应用场景

优势特点

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