BL12N120
- 产品特点
- 技术文档
| Type | Mode | VDS(Max.) | ID(Max.) | RDS(on)(Max.) | Qg(Typ) | Package | Application | Planar MOSFETs | N-Channel | 1200V | 12A | 1.15Ω | 70nC | TO-247 | High frequency switching mode power supply |
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12N120，hv，高压
BL12N120硅N沟道增强型MOSFET采用先进MOSFET技术，可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管是SMPS、高速开关及通用应用的理想器件。
优势特点
- 快速开关；
- 低Crss；
- 100%雪崩测试；
- 改进的dv/dt耐受能力；
- RoHS产品
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