BL2N65
- 产品特点
- 技术文档
| Type | Mode | VDS(Max.) | ID(Max.) | RDS(on)(Max.) | Qg(Typ) | Package | Planar MOSFETs | N-Channel | 650V | 2A | 4.5Ω | 12nC | TO251 TO252 |
|---|
2N65, hv, 高压
BL2N65硅N沟道增强型MOSFET采用先进MOSFET技术，可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管是SMPS、高速开关及通用应用的理想器件。
优势特点
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt耐受能力
- RoHS产品
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