BLS65R099
- 产品特点
- 技术文档
| Type | Mode | VDS(Max.) | ID(Max.) | RDS(on)(Max.) | Qg(Typ) | Package | Application | SJ MOSFETs | N-Channel | 650V | 41A | 0.082mΩ | 79.3nC | TO220F TO247 |
TO220F TO247 |
|---|
650V SJ MOS
BLS65R099 是一款硅 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的超结技术制造而成，可降低导通损耗，提升开关性能。
优势特点
- 快速开关；
- 100%雪崩测试；
- 改进的dv/dt能力；
- RoHS产品
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