ME8325-N

产品特点
技术文档

Pout(Max.)	Drive Device	BVDSS	MODE	Standby Power	OVP	Package	Application
15W, 12W	MOSFET	V	PFM/QR	<60mW	YES	DIP7	充电器适配器 LED照明

原边反馈（PSR）、准谐振（QR）、AC/DC 电源控制芯片、内置 650V/1000V 高压 MOSFET、DIP7 封装、恒压恒流（CV/CC）、六级能效、低待机功耗（<60mW）、线压降补偿、最大功率 15W/12W、充电器、适配器、LED 驱动

ME8325-N 是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振模式的小功率 AC/DC 电源控制芯片。内部集成了650V/2A（ME8325A-N）、1000V/2A（ME8325C-N）的高压功率 MOS 管，最大功率 15W（ME8325A-N）、最大功率 12W（ME8325C-N），用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于 60mW的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的 EMI 性能，满足六级能效标准要求。

优势特点

效率满足六级能效要求
原边反馈 (PSR)准谐振（QR）控制技术实现高效率，无需光耦和ME431
±5%恒压恒流精度
待机功耗小于60mW
内置650V高压MOSFET功率管（ME8325A-N）
内置1000V高压MOSFET功率管（ME8325C-N）
最大功率15W（ME8325A-N）
最大功率12W（ME8325C-N）
恒压模式下内置线压降补偿(Cable drop compensation)
内置软启动
所有管脚浮空保护
输出过压保护
逐周期电流限制
内置前沿消隐(Leading edge blanking)
VDD欠压保护(UVLO)，过压保护及钳位
过温保护

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