SD3077

内置晶振、超小封装、宽温补偿的高精度时钟IC－SD3077/3078/3031/3900

实时时钟芯片(RTC)新选择！

概述:

       SD3078是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。SD3078内置晶振及数字温度补偿，用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题，实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能。SD3078内置定时/报警中断输出脚和独立的32K输出脚,报警中断时间最长可设至100年。SD3078具有一个后备电池输入脚VBAT，内部的充电电路可对外接的充电电池进行智能充电，也可对电池电量进行检测和欠压报警指示。SD3078内置8字节的ID，每一颗芯片具备唯一的身份识别码。该芯片可满足对高精度实时时钟芯片的各种需要，是在选用实时时钟IC时的理想选择。

主要性能特点：

      > 低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。   

      >工作电压：2.7V～5.5V，工作温度为-40℃～+85℃。 

      >标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

      >年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

      >闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。

      >可选择12/24小时制式.

      >内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96种组合报警方式，并有单事件报警和周期性          报警两种中断输出模式，报警时间最长可设至100年。

      >周期性频率中断输出:从4096Hz～1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲. 

      >自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟），最小定时为244us，最长定时可到31年，通          过计算可获得较精确的毫秒级定时值。

      >5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位.

      >内置70字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。

      >具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出。

      >内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温一次，电池模式600S间隔测温一次。

      >内置晶振和谐振电容，芯片内部通过高精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能，其中25℃精度<±3.8ppm（为出厂标准，

        VDD=3.3V)。  

      >具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT ，其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电，内置的充电限流电阻可            位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种。

      >内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。

      >芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转

        为由接在VBAT的后备电池供电；当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。（内置电源模式指示位PMF,VDD模式时 

        PMF=0，VBAT模式时PMF=1）。

      >内置8字节的ID码，芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。

      >内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免IIC总线挂死问题。

      >内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。

      >内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值

        BATIIC=0)，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控

        的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。

      >内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。

      >内置电池电压欠压指示位BLF，当电池电压低于2.2V时BLF位置1。

      >内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。      

      >芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。

      >CMOS 工艺

      >封装形式：SOP8（宽度208mil）,SD3031管脚兼容3231;SD3900 3225封装。

管脚设置:

管脚说明:

原理框图:

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