总线 | 晶振 | VBAT脚 | 精度 | 32K输出 | INT输出 | SRAM | 管脚可兼容 | 封装形式 | IIC | 内置 | √ | A档:<±10ppmB档:<±30ppm(*1) | √ | √ | 12字节 | SD3078 | SOP8(208mil) |
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内置晶振、超小封装、可以数字补偿的高精度时钟IC-SD2077/2078/2010
SD2010管脚兼容8010-实时时钟芯片的新选择!
概述:
SD2078是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过5位地址寻址来读写片内32字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2078内置晶振,用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题和振荡可靠性问题。SD2078内置时钟精度数字调整功能,可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(-189ppm~+189ppm,分辨力为3.05ppm),并通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值,实现在宽温范围内高精度的计时功能。
主要性能特点:
> 低功耗: 1.2 μA 典型值(VBAT =3.0V,Ta=25℃)。
>工作电压:1.8 V~5.5V,工作温度为-40℃~+85℃。
>标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。
>年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
>闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。
>可选择12/24小时制式.
>内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器,共有96种组合报警方式,并有单事件报警和周期性 报警两种中断输出模式,报警时间最长可设至100年。
>周期性频率中断输出:从32768Hz~1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲。
>自动重置的8位倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ)。
>3种中断均可选择从INT脚输出,并具有3个中断标志位.
>内置12字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。
>具有可控的32768HZ方波输出脚F32K,可以位允许/禁止32K输出。
>内置8bit转换结果的数字温度传感器,为了节省电池电量消耗,设为VDD模式下60S间隔测温一次,电池模式600S间隔测温一次。
>内置晶振和谐振电容,常温精度:A档<±10ppm(常温日误差最大0.86秒);B档<±30ppm;C档<±50ppm。
>内置时钟精度数字调整功能,可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器,设定适应温度变化的调整值,可实现在宽温范围内高精度的计时功能。
>具有一个后备电池输入脚VBAT ,芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。
>内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题。
>内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作,可更好地保护数据。
>内置上电指示位RTCF,当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。
>芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。
>芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
>CMOS 工艺
>封装形式:SOP8(宽度208mil:SD2077/2078;宽度150mil:SD2010)。
管脚设置:
管脚说明:
名称 | 功能 | 特征 |
VBAT | 备用电池输入脚,内置稳压及充电电流可选的充电电路。 | 1.5V~5.5V,不用时应将其接GND. |
F32K | 32.768KHZ方波信号输出脚 | N-沟道开路输出 |
GND | 负电源(GND) | |
SDA | 串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接. | N沟道开路输出;CMOS输入. |
SCL | 串行时钟输入脚,由于在SCL上升/下降沿处理信号,要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间,应严格遵守说明书。为了减少SCL上升沿时间,MCU与SCL连接的端口可设为CMOS输出,不要设置为开漏输出。 | CMOS输入 |
INT | 报警中断输出脚,根据控制寄存器来设置其工作的模式,它可通过重写控制寄存器来禁止. | N-沟道开路输出 |
VDD | 正电源 | 1.8V~5.5V |
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