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型号 最大输入电压 最大VCNTL电压 最大输出电流 输出电压 精度 消耗电流 失调电压 电源抑制比 压差电压 主要性能 封装 DDR存储类型
ME1117 20V - 1A 1.2-15V ±2% 3.3mA - 60dB 1.05V OTP/OCP SOT223/TO252/ SOT89-3 -
ME6206A 6.5V - 300mA 1.5-5.0V ±1% 6uA - 50dB 150mV SCP/OCP SOT23-3/SOT89-3/ SOT23/TO92 -
ME6206B 6.5V - 250mA 1.6-5.0V ±2% 7uA - 65dB 200mV SCP/OCP SOT23 -
ME6207 6.5V - 800mA 1.8-5.0V ±1% 80uA - 65dB 35mV EN/SCP SOT89-5/SOT23-5/SOT89-3 -
ME6208 18V - 150mA 2.0-5.0V ±1%/±2% 3uA - 50dB 750mV LOW IQ TO92/SOT89-3/ SOT23-3 -
ME6209 18V - 250mA 3.0-5.0V ±1%/±2% 3uA - 50dB 200mV LOW IQ TO92/SOT89-3/ SOT23-3 -
ME6210 18V - 500mA 1.5-5.0V ±2% 1.5uA - 50dB 100mV LOW IQ/SCP SOT89-3/ SOT23-3 -
ME6212 6.5V - 350mA 1.2-5.0V ±2% 50uA - 65dB 100mV EN/SCP SOT23-5 -
ME6213 6.5V - 300mA 1.2-5.0V ±2% 7.5uA - 50dB 110mV EN/SCP/OCP SOT23-5/DFN2*2-6L -
ME6214 18V - 300mA 1.5-5.0V ±2% 0.7uA - 40dB 160mV EN/SCP/OCP SOT89-3/SOT23-3/ SOT23-5/DFN2*2-6L -
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