Ramtron推出平行F-RAM内存组件FM14C88

2009-09-11

　　Ramtron International公司宣布推出新款的平行F-RAM内存FM14C88，它可满足磁盘阵列(RAID)储存服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用需求。 　　与nvSRAM相较，FM14C88的读写速度更快，工作电压更低。FM14C88的容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，采用工业标准300mil宽度的32脚SOIC封装，具有高速存取、无延迟写入、几乎无

Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口储存器

2009-09-02

非易失性存储及无限读写特性实现数据可靠性 2009年9月1日——世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。 与nvSRAM相比，FM14C

深圳华胄科技公司销售经理离职公告

2009-09-01

尊敬的客户： 您好！ 原我司销售经理黄健强已经离开本公司，相关销售业务交由曹小姐进行处理，电话：0755-82127290；手机：13686812279 ；邮箱： janey@huazhoucn.com。 即日起，黄健强将不再担任销售职务，该人员的一切行为均属个人行为，本公司概不负责。感谢大家的长期以来对我司的的支持与厚爱！ 特此公告。 深圳华胄科技有限公司 2009年

Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

2009-08-18

　　日前，Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM2

Ramtron创意征文推动国内科技博客交流

2009-08-11

　　日前，Ramtron International Corporation，宣布其主办之“Ramtron创意征文” 活动 (www.ramtron-online.cn/activity/ramtronblog/) 反应热烈，将可推动国内电子工程社群对话交流，进一步带动国内相关创意水平。 　　“Ramtron创意征文” 由Ramtron主办

Ramtron推出采用FBGA封装的8兆位F-RAM存储器

2015-02-10

　　Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自

Ramtron发布两款新型串口256Kb F-RAM器件

2015-02-10

　　Ramtron International Corporation，发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件扩展V系列产品线

2015-02-10

　　日前，Ramtron International Corporation发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品，分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号，工作电压范围为2.0V至3.6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速

Ramtron扩展V系列产品线，新添256K串行F-RAM

2015-02-10

COLORADO SPRINGS, CO — July 15, 2009 — Ramtron International Corporation (Nasdaq: RMTR), the leading developer and supplier of nonvolatile ferroelectric random access memory (F-RAM) and in