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Ramtron发布8M并行非易失性铁电存储器
2015-02-10
COLORADO SPRINGS, CO — 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成式半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低
Ramtron 4M F-RAM产品被应用于高可靠性工业固态硬盘上
COLORADO SPRINGS, CO – 2009年6月23日 – 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布,其4Mb F-RAM器件FM22L16已获深圳市盛博科技嵌入式计算机有限公司采用,以生产创新的数据存储设备—固态硬盘 (solid-st
Ramtron推出32Kb非易失性存储器
日前,Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速读/写性能、低电压运行,以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器,工作电压为2.7V至3.6V,采用8脚SOIC封装,使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及
华胄国际有限公司地址变更事宜通知
敬啟者: 茲因業務之需求,本公司將於2009 年6月15日(星期一),遷往下列地址 : 香港沙田安平街6號新貿中心B棟2204室 電話 : (852) 2687 4333 傳真 : (852)2687 4477 深圳华胄科技有限公司 2009-6-17
RamTRON全系列芯片开发套件
FeRAM系列芯片可以用于以下各个领域,包括军工,航天,数据采集, 计量,汽车电子,汽车能源,安全系统,工业控制,通讯,金融电子,医疗机械等行业。 为了使工程师能够快速掌握FeRAM芯片,广州致远电子有限公司设计开发了RamTRON Demo板,该开发板集成了FeRAM MCU、I2C型FeRAM,SPI型FeRAM,并型FeRAM,带FeRAM的RTC(日历时钟芯片),FeRAM状
Ramtron 非易失性状态保存器通过Grade 1汽车标准认证
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布,其两款非易失性状态保存器FM1105-GA 和FM1106-GA已经通过AEC-Q100 Grade 1 认证。这些状态保存器可按要求保存信号状态,并在上电时自动恢复到正确状态。F-RAM技术具有独特的快速写入能力、几乎无限的写入耐久性及低功耗特性,能
2009年Ramtron第一季度财务总结报告
科罗拉多州,联合2009年5月7日- Ramtron International公司(纳斯达克代码: RMTR )的领先开发商和供应商的非挥发性铁电随机存取记忆体(的FeRAM )的集成半导体产品,今天公布了总收入1050万美元的第一季度到2009年,与之相比1430万美元报告,去年同期为2008年。第一季度产品收入1020万美元,相比之下,去年同期产品收入1,390万美元。 第一季度净亏
Ramtron推高功效512Kb系列串口F-RAM存储器
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品,这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2.0V至3.6V的串口非易失性RAM,采用
Ramtron 推出512K V系列串口F-RAM存储器
Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品,这些F-RAM器件提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F-RAM产品之最新型款为512Kb FM24V05和1Mb FM24V10,是2.0 V至 3.6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线 (I2C) 协议。这两款器件的特点包括快速访
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